近日，
昕感科技面向新能源領(lǐng)域推出一款重量級(jí)
SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0），實(shí)現(xiàn)了
業(yè)界領(lǐng)先的超低導(dǎo)通電阻規(guī)格1200V/7mΩ。昕感新品基于
車(chē)規(guī)級(jí)工藝平臺(tái)，采用
先進(jìn)結(jié)構(gòu)和制造工藝，兼容18V柵壓驅(qū)動(dòng)，配合TO-247-4L Plus封裝，有力提升了國(guó)產(chǎn)碳化硅器件的性能。新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)
新能源汽車(chē)主驅(qū)等亟需高壓大電流與低損耗的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)應(yīng)用，助力新能源領(lǐng)域快速更新?lián)Q代，為國(guó)家“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)做出貢獻(xiàn)。
昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封裝，具備開(kāi)爾文源極和低熱阻等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗及震蕩，提升器件散熱表現(xiàn)。
昕感新品工作電流可達(dá)300A以上，具有正溫度系數(shù)，可方便實(shí)現(xiàn)大電流并聯(lián)。同時(shí)，昕感新品的漏電流極低（<1μA@1200V），具備優(yōu)越的高壓阻斷特性。
N2M120007PP0器件部分靜態(tài)特性
昕感新品已完成一系列動(dòng)態(tài)測(cè)試和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同條件下正常動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)。
N2M120007PP0器件800V/200A下的開(kāi)關(guān)波形
除TO-247-4L Plus等單管封裝外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封裝進(jìn)定制化功率模塊，便于廣泛實(shí)現(xiàn)其在汽車(chē)主驅(qū)等新能源領(lǐng)域中的應(yīng)用。
昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，致力于成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先和具有國(guó)際影響力的功率半導(dǎo)體變革引領(lǐng)者。昕感科技擁有從器件到模塊再到應(yīng)用的全流程高度定制化技術(shù)能力，能夠匹配各領(lǐng)域客戶需求，幫助客戶快速建立差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款碳化硅器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，也標(biāo)志著在此工藝平臺(tái)上開(kāi)發(fā)的多款更低導(dǎo)通電阻器件達(dá)到車(chē)規(guī)級(jí)可靠性水平。
責(zé)任編輯： 江曉蓓
標(biāo)簽：昕感科技
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